STのSTPOWER SiC（シリコン・カーバイド） MOSFETは、革新的なワイドバンドギャップ（WBG）半導体が持つ利点を活かし、次世代の設計に貢献します。2014年から量産されているSTのSiC MOSFETは、最先端のテクノロジー･プラットフォームによって650V～1700V（今後さらに拡大予定）の幅広い動作電圧範囲を備え、きわめて低いオン抵抗（RDS(on)）による優れたスイッチング性能を実現しています。STのSiC MOSFETは、従来のシリコンに匹敵する技術水準により優れた品質を実現しています。そのため、搭載されたシステムにさまざまな利点を提供し、これまで以上に高効率かつ小型のシステムを設計することが可能です。
STのSiC MOSFETは、主に以下の特徴を持ちます。
· 車載グレード（AG）認定デバイス
· きわめて優れた温度特性（max.Tᴊ = 200°C）
· きわめて低いスイッチング損失（温度による変動の最小化）により、高いスイッチング周波数で動作可能
· 動作温度範囲全体にわたる低いオン抵抗
· シンプルな駆動方式
· 実績のある高速かつ堅牢なボディ・ダイオード
STのSTPOWER SiC MOSFETは、車載および産業アプリケーション向けに設計された最先端のパッケージ（HiP247、H2PAK-7、TO-247ロング･リード、STPAKおよびHU3PAK）で提供されています。
ビデオ
-
SCTW100N120G2AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A, 30 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
-
SCT20N120H
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
-
SCTW35N65G2V
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
-
SCTWA20N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 long leads package
-
SCTWA50N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
-
SCTW70N120G2V
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 91 A, 21 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
-
SCT30N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
-
SCTW40N120G2VAG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
-
SCT10N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
-
SCTW35N65G2VAG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
-
SCT50N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
-
SCTH100N65G2-7AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 95 A, 20 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
-
SCT20N120AG
Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
-
SCTWA30N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
-
SCT10N120AG
Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
-
SCTWA90N65G2V
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 long leads package
-
SCTW60N120G2AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
-
SCTW90N65G2V
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
-
SCTH90N65G2V-7
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
-
SCTWA10N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
-
SCTH40N120G2V7AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
-
SCT1000N170
Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 7 A, 1.0 Ohm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
-
SCTW100N65G2AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A, 20 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
-
SCTH35N65G2V-7
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
-
SCT1000N170AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 7 A, 1.0 Ohm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
-
SCT20N170AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 43 A, 64 mOhm (typ., Tj = 25 C) in an HiP247 package
-
SCTWA35N65G2V
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 75 mOhm (typ. TJ = 175 C) in an HiP247 long leads package
-
SCTH35N65G2V-7AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
-
SCT20N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
-
SCTWA35N65G2VAG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 long leads package
