STのSTPOWER SiC（シリコン・カーバイド）パワーMOSFETは、革新的なワイドバンドギャップ（WBG）半導体が持つ利点を活かし、次世代の設計に貢献します。2014年から量産されているSTのSiC MOSFETは、最先端のテクノロジー･プラットフォームにより650V～1700V（今後さらに拡大予定）の幅広い動作電圧範囲を備え、きわめて低いオン抵抗（RDS(on)）による優れたスイッチング性能を実現しています。STのSiCパワーMOSFETは、従来のシリコンに匹敵する技術水準により、優れた品質を実現しています。そのため、搭載されたシステムにさまざまな利点を提供し、これまで以上に高効率かつ小型のシステムを設計することが可能です。
STのSiCパワーMOSFETは、主に以下の特徴を持ちます。
· 車載グレード（AG）認定デバイス
· きわめて優れた温度特性（max.T J = 200°C）
· きわめて低いスイッチング損失（温度による変動の最小化）により、高いスイッチング周波数で動作可能
· 動作温度範囲全体にわたる低いオン抵抗
· シンプルな駆動方式
· 実績のある高速かつ堅牢なボディ・ダイオード
STのSTPOWER SiC MOSFETは、車載および産業アプリケーション向けに設計された最先端のパッケージ（HiP247、H2PAK-7、TO-247ロング･リード、STPAKおよびHU3PAK）で提供されています。
注目ビデオ
- SCTW100N120G2AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A, 30 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
- SCTWA50N120-4 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 mOhm typ., 65 A in an HiP247-4 package
- SCT20N120H Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
- SCTW35N65G2V Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 45 A in an HiP247 package
- SCTWA20N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 long leads package
- SCTWA50N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
- SCTW70N120G2V Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 91 A, 21 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
- SCTWA40N120G2V-4 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 70 mOhm typ., 36 A in an HiP247-4 package
- SCTL90N65G2V Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package
- SCTWA90N65G2V-4 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
- SCT30N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
- SCTW40N120G2VAG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
- SCTH40N120G2V-7 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 70 mOhm typ., 36 A in an H2PAK-7 package
- SCT10N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
- SCT30N120H Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an H2PAK-2 package
- SCTW35N65G2VAG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
- SCTH60N120G2-7 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
- SCTW40N120G2V Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 36 A, 70 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
- SCT50N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
- SCTH100N65G2-7AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 95 A, 20 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
- SCT20N120AG Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
- SCTWA30N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
- SCT10N120AG Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
- SCTWA90N65G2V Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 long leads package
- SCTW60N120G2AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mOhm typ., 52 A in an HiP247 package
- SCTWA40N120G2AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247 long leads package
- SCTW60N120G2 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 60 A in an HiP247 package
- SCTW90N65G2V Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
- SCTWA60N120G2-4 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 60 A in an HiP247-4 package
- SCTWA60N120G2AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mOhm typ., 52 A in an HiP247 long leads package
- SCTH90N65G2V-7 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
- SCTWA10N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
- SCT10N120H Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
- SCTH70N120G2V-7 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 90 A, 21 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
- SCTH40N120G2V7AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
- SCT20N170 Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 43 A, 64 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
- SCT1000N170 Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
- SCTW100N65G2AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A, 20 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
- SCTH35N65G2V-7 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
- SCT1000N170AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
- SCT20N170AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 43 A, 64 mOhm (typ., Tj = 25 C) in an HiP247 package
- SCTWA35N65G2V Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 45 A in an HiP247 long leads package
- SCTH35N65G2V-7AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
- SCT20N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
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