Product overview
概要
本Nチャネル・パワーMOSFETは、きわめて革新的なスーパージャンクションMDmesh™ M9テクノロジーを採用しており、単位面積当たりのRDS(on)が非常に低い中 / 高電圧のMOSFETに適しています。シリコン・ベースのMDmesh™ M9テクノロジーは、マルチドメイン製造プロセスを活用することで、高度なデバイス構造に対応しています。そのため、オン抵抗とゲート電荷値が低いシリコン・ベースの高速スイッチング・スーパージャンクション・パワーMOSFETを備えた製品の製造が可能で、特に優れた電力密度と高効率が求められるアプリケーションに最適です。
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All features
- シリコン・ベースのデバイスの中でも世界最良クラスのFOM RDS(on)*Qg
- 高いVDSS定格
- 高いdV/dt特性
- ソース・ピンのドライブ機能による優れたスイッチング性能
- シンプルなゲート駆動
- 100%アバランシェ試験済み
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すべてのリソース
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Details | ダウンロード |
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SPICE models (1)
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 22 Mar 2023 | 22 Mar 2023 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STW65N023M9-4 | Active 交換品交換品 | TO247-4 | Industrial | Ecopack2 | 10 | 2024-06-04T00:00:00.000+02:00 | |
STW65N023M9-4
Package:
TO247-4Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STW65N023M9-4 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください |
STW65N023M9-4 Active
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。