BiCMOS
高性能オプティカルIC & RF IC向けテクノロジー
現在、デジタル化やAIにより、新たなデータセンターの需要が急激に高まっています。
光ソリューションは、データセンター内のサーバ、スイッチ、ストレージ･ユニットの接続に重要です。また、AIクラスタ内のGPU間近距離リンクにも使用されます。データ･レートの向上に伴い、より高性能なオプティカルICに対する需要が高まっています。
また、LEO衛星コンステレーションや5Gネットワーク、新たなマイクロ波アプリケーションにより、高性能RFデバイスの必要性が高まっています。車載用レーダー、60GHz LAN RFトランシーバ、ポイント･ツー･ポイント無線、セキュリティ、計装などのアプリケーションは、厳しい条件下における高いRF性能に加え、高集積化、消費電力の削減、コストの最適化も求められています。
こうしたニーズに応えるため、STはBiCMOSテクノロジーに投資しています。現在、STのBiCMOSテクノロジーは、世界中の最先端光モジュール、LEO衛星端末、無線基地局、車載用レーダー、計装ソリューションなどに採用されています。
BiCMOSテクノロジーがグローバルな通信接続に貢献
STのBiCMOSテクノロジーは、高速かつ信頼性の高いインターネットを提供するStarlinkのフェーズド･アレイ･アンテナの重要なコンポーネントの1つです。このテクノロジーにより、SpaceX社は世界150カ国以上、800万を超える顧客に通信接続を提供しています。
BiCMOS：2種類のプロセス技術
BiCMOSは、高周波アナログ機能に必要な速度とゲインを備えたバイポーラ･トランジスタと、
中程度の複雑さを持つ低消費電力ロジック･ゲートの構築に最適なCMOS技術という、2種類のプロセス技術の長所を1チップで実現します。
STのSiGe BiCMOSテクノロジーは、RF、アナログ、およびデジタル機能を1チップ化することにより、外付け部品点数を低減すると同時に、消費電力を最適化します。
典型的な携帯電話基地局またはポイント･ツー･ポイント無線受信機
一般的な光ファイバおよびアクティブ光ケーブル･モジュール
STのBiCMOSテクノロジーは、高性能を実現すると同時に機能統合における大きな優位性をもたらします。
BiCMOS HBT（Heterojunction Bipolar Transistor：ヘテロ接合バイポーラ･トランジスタ）は、カットオフ周波数を同じ技術ノードのバルクCMOSよりもはるかに高くすることができます。バルクCMOS設計で同等の周波数を実現するには通常、より微細なプロセス･ノードを使用する必要があり、設計の複雑さが増すほか、全般的な性能低下やコスト上昇につながります。
競争力のあるコスト構造を持つBiCMOSテクノロジーは、幅広いアプリケーションに対応しています。
BiCMOSプロセス技術をリード
STは、設計、アーキテクチャ、プロセス統合に関する専門性を活用し、高性能 RF ICを実現する先進的なSiGe BiCMOSテクノロジーを提供しています。
B55およびB55Xテクノロジーは、ヨーロッパの300mmウェハで製造されており、量産に対応しています。
最適な設計･製造能力
STのBiCMOS設計プラットフォームは、先進的なCADツール、完全な設計フロー、および極めて正確なシミュレーション･モデルによって支えられています。その効果は、多くのお客様の成功事例によって実証されています。
STは、製造委託サービスから、ASIC設計、開発、パッケージング、テストなどの幅広いサポートまで、さまざまなビジネスモデルによるBiCMOS技術の提供に対応できます。この柔軟性は、各お客様の要件に合わせて適切なレベルのサービスを提供するのに役立ちます。
さらに、アナログ、RF、およびデジタルIPにわたるBiCMOSに関する豊富な経験により、お客様の製品設計の簡略化と製品開発期間の短縮に貢献します。
