CATEGORIES

パワー・マネージメント Minimize menu

MOSFET & IGBTゲート・ドライバ

概要
製品セレクタ
ソリューション
ドキュメント
CADリソース
ツール & ソフトウェア
eDesignSuite

STDRIVEゲート・ドライバは、ディスクリートのパワーMOSFETやIGBT、あらゆるスイッチング電源におけるマイクロコントローラやDSP、FPGAなどのデジタル・コントローラまたはアナログ・コントローラに必要なコンパニオン・チップです。産業、コンスーマ、コンピュータ、および車載用アプリケーションの精確かつ効率的な電源駆動に必要となる電圧および電流レベルを生成します。

STは、低電圧または高電圧(最大1500 V)アプリケーション向けの定格を持つシングルからハーフブリッジ、マルチチャネル・ドライバを含む幅広い製品ラインアップを提供しています。また、安全性および機能性要件を満たすガルバニック絶縁ゲート・ドライバICや、ハイサイド / ローサイド・ドライバとMOSFETによる出力段を集積したシステム・イン・パッケージ(SiP)ソリューションも提供し、高集積化と開発コストの削減に貢献しています。

STDRIVEは、さまざまなスイッチング電源に適合するよう設計されています。また、豊富な評価用ハードウェア / ソフトウェア、および開発期間の短縮に貢献する技術資料が用意されています。

 

高集積スマートGaN

GaN(窒化ガリウム)は、従来のシリコンMOSFETを大きく上回る高速、高効率、高電力密度を実現する革新的な新材料です。STの先進的なMasterGaNシステム・イン・パッケージ(SiP)は、GaNトランジスタおよびゲート・ドライバを1パッケージに集積し、ゲート・ドライバのレイアウト最適化による高効率化や、寄生効果の最小化による電力密度の向上、および高いスイッチング周波数を実現します。

MasterGaN1MasterGaN2MasterGaN3MasterGaN4MasterGaN5といったSTのMasterGaNプラットフォームは、幅広いアプリケーション要件に柔軟に対応することができます。

 

STDRIVE® GaNドライバ

GaNドライバは、エンハンスメント型GaN FETまたはNチャネル・パワーMOSFET向けのハーフブリッジ・ゲート・ドライバです。

 

Dual Gate Drivers Optimize and Simplify SiC and IGBT Switching Circuits

Dual-channel galvanic isolated gate drivers for IGBTs and silicon-carbide (SiC) MOSFETs save space and ease circuit design in high-voltage power-conversion and industrial applications.

The STGAP2HD for IGBTs and STGAP2SICD for SiC MOSFETs leverage ST’s latest galvanic-isolation technology to provide 6kV transient-voltage capability in a SO-36W wide-body package.

MasterGaN rides the new wave of GaN Power

Revolutionizing power engineering and pushing performance beyond ordinary silicon-based solutions with ST’s MasterGaN, industry's first integrated solution with Silicon driver and two GaN power transistors in one package.