STDRIVEG600

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GaNトランジスタ向け高電圧ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ

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製品概要

概要

STDRIVEG600は、エンハンスメント型GaN FETまたはNチャネル・パワーMOSFET向けの、1チップに集積されたハーフブリッジ・ゲート・ドライバです。

ハイサイド・セクションは、600Vまでの電圧に耐えられるよう設計されており、最大500Vのバス電圧を用いた設計に適しています。

大電流容量、短い伝搬遅延時間、および最低5Vの電源電圧で動作でき、高速GaNやSi FETの駆動用に設計されています。

STDRIVEG600には、ローサイド / ハイサイド双方の駆動部にUVLO保護が搭載されており、効率の低い状態や危険な状態ではパワー・スイッチは動作しません。また、インターロック機能が貫通電流を防止します。

ロジック入力は、3.3VまでのCMOS/TTLに対応し、マイクロコントローラやDSPと簡単に接続することができます。

  • 特徴

    • dV/dt耐性: ±200V/ns
    • ドライバ駆動電流:
      • 25℃ / 6Vでソース(1.3A typ.) / シンク(2.4A typ.)
      • 25℃ / 15Vでソース(5.5A typ.) / シンク(6A typ.)
    • 分離されたターンオン / ターンオフのゲート・ドライバ・ピン
    • 厳密にマッチングされた伝播遅延: 45ns
    • TTL / CMOS入力: 3.3V / 5V(ヒステリシス付き)
    • インターロック機能
    • ローサイド / ハイサイド双方にUVLO搭載
    • シャット・ダウン専用端子
    • 過熱保護

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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STDRIVEG600

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STDRIVEG600
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STDRIVEG600TR
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SO-16 インダストリアル Ecopack2

STDRIVEG600

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