製品概要
概要
This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material allow designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
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特徴
- Very low RDS(on) over the entire temperature range
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
製品スペック (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 6.0 | 21 Mar 2025 | 21 Mar 2025 |
アプリケーションノート (4)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 05 Mar 2025 | 05 Mar 2025 | ||
| 1.0 | 09 Apr 2015 | 09 Apr 2015 | ||
| 1.0 | 15 Jul 2019 | 15 Jul 2019 | ||
| 1.0 | 24 May 2010 | 24 May 2010 |
テクニカル･ノート & 技術解説 (4)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 2.0 | 13 Feb 2015 | 13 Feb 2015 | ||
| 2.0 | 01 Apr 2025 | 01 Apr 2025 | ||
| 2.0 | 22 May 2019 | 22 May 2019 | ||
| 2.0 | 23 Nov 2023 | 23 Nov 2023 |
ユーザマニュアル (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 26 Nov 2013 | 26 Nov 2013 |
プレゼンテーション (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 09 Jul 2025 | 09 Jul 2025 |
フライヤー (5 of 9)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 18 Jun 2021 | 18 Jun 2021 | ||
| 1.0 | 27 Feb 2022 | 27 Feb 2022 | ||
| 1.0 | 19 Apr 2024 | 19 Apr 2024 | ||
| 1.0 | 26 Nov 2024 | 26 Nov 2024 | ||
| 1.0 | 06 Feb 2025 | 06 Feb 2025 | ||
| 1.0 | 24 Dec 2021 | 24 Dec 2021 | ||
| 1.0 | 21 Jun 2021 | 21 Jun 2021 | ||
| 1.1 | 21 Jun 2021 | 21 Jun 2021 | ||
| 3.0 | 26 Oct 2023 | 26 Oct 2023 |
カンファレンスペーパー (5 of 8)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 23 Jul 2018 | 23 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 29 Apr 2021 | 29 Apr 2021 | ||
| 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 | ||
| 1.0 | 25 Jul 2018 | 25 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 25 Jul 2018 | 25 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 23 Jul 2018 | 23 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 23 Jul 2018 | 23 Jul 2018 | ||
| 1.0 | 23 Aug 2021 | 23 Aug 2021 |
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - SCT20N120
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EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT20N120 | NRND | HIP247 | インダストリアル | Ecopack2 | - | - |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT20N120 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
SCT20N120 NRND
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。