製品概要
概要
This N-channel Power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh M9 technology, suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The silicon based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on-resistance and reduced gate charge values, among all silicon based fast switching super-junction Power MOSFETs, making it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.
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特徴
- Very low FOM (RDS(on)·Qg)
- Higher dv/dt capability
- Excellent switching performance
- Easy to drive
- 100% avalanche tested
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング・ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STB25N018M9 | 量産中 交換品交換品 | D2PAK | インダストリアル | Ecopack2 | - | - | |
STB25N018M9
Package:
D2PAKMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STB25N018M9 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください |
STB25N018M9 量産中
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。