製品概要
概要
The newest IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behavior at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A very fast soft recovery diode is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.
-
特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A
- Very fast and soft recovery co-packaged diode
- Minimized tail current
- Tight parameter distribution
- Low thermal resistance
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin
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STマイクロエレクトロニクス - STGW75H65DFB2-4
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 03 Aug 2020 | 03 Aug 2020 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGW75H65DFB2-4 | 量産中 | Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 package | TO247-4 | インダストリアル | Ecopack2 | 10 | 2024-06-04T00:00:00.000+02:00 | |
STGW75H65DFB2-4
Package:
Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 packageMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | 概要 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGW75H65DFB2-4 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STGW75H65DFB2-4 量産中
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