Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

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  • These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 40 A
    • 5 μs minimum short circuit withstand time at TJ=150 °C
    • Safe paralleling
    • Very fast recovery antiparallel diode
    • Low thermal resistance

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    • 製品型番

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      DS9298
      Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
      5.0
      819.58 KB
      PDF
      DS9298

      Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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      1.0
      2.13 MB
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      H series 1200 V IGBTs on 3-phase full-bridge DC-DC power converter welding machine
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      1.35 MB
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      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
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      1.03 MB
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STGWA40H120DF2
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TO-247 long leads インダストリアル Ecopack2

STGWA40H120DF2

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TO-247 long leads

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TO-247 long leads

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