STGWA50M65DF2

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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss

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製品概要

概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

  • 特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • 6 μs of minimum short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 50 A
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Soft- and fast-recovery antiparallel diode

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGWA50M65DF2

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製品型番 マーケティング・ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGWA50M65DF2
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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss TO-247 long leads インダストリアル Ecopack2

STGWA50M65DF2

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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss

Material Declaration**:

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General Description

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss

Package

TO-247 long leads

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss

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梱包タイプ:
Tube
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Country of Origin:
CHINA
ECCN (US):
EAR99
ECCN (EU):
NEC

製品型番:

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最大:

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概要:

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。