STGWA50M65DF2

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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • 6 µs of minimum short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 50 A
    • Tight parameters distribution
    • Safer paralleling
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS11402
      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 50 A low-loss in a TO-247 long leads package
      3.0
      993.91 KB
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      DS11402

      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 50 A low-loss in a TO-247 long leads package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4694
      EMC design guides for motor control applications
      1.0
      2.13 MB
      PDF
      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
      1.1
      2.4 MB
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      AN4694

      EMC design guides for motor control applications

      AN4544

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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STGWA50M65DF2
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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss TO-247 long leads Industrial Ecopack2

STGWA50M65DF2

Package:

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss

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General Description

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss

Package

TO-247 long leads

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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