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RFフロントエンド

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RF IPDロゴ

RF集積型受動デバイス(RF IPD)では、高抵抗基板を使用して、キャパシタやインダクタなどの高いQ値が求められる受動素子を集積します。IPDテクノロジーにより、インピーダンス整合ネットワーク、高調波フィルタ、カプラ、バラン、電力合成器 / 分割器など、多くの機能を設計できます。STのIPDは、厚膜フィルムと高抵抗シリコン・ウェハ、またはガラス・ウェハの製造テクノロジーとフォトリソグラフィ処理を使用して製造されます。

集積型受動デバイス(IPD)

STのIPDプロセスにより、高品質の受動部品(抵抗、インダクタ、キャパシタ)を多様な設計構成でガラスおよび高抵抗シリコン基板上に集積できます。

Advanced Design System(ADS)

ADSは、広範囲に及ぶ新たなワイヤレス・アプリケーションとその電力要件に対応します。

完全なADSスイートには、レイアウトや効果的なEMシミュレーションのサポートが含まれます。パートナーは、ST RF IPDファンドリ・サービスで提供されている、STの優れたIPDプロセスと設計ツールを利用できるようになりました。

Q値の高いRF集積型受動素子プロセス

STのQ値の高いRF集積型受動素子プロセスは、整合ネットワーク、フィルタ整合バラン、カプラ、電力合成器、マルチプレクサ、ハイブリッド・ネットワークなどの受動デバイスに最適です。

低コスト化高効率化を要件とするさまざまなタイプのRFアプリケーションで使用されます。


整合バラン

バラン設計

バランは不均衡な信号のバランスを取るために使われます。STのRF IPDプロセスを使用して、高品質のRF受動部品を1枚のガラス基板に集積します。完全機能の場合は、1mm2未満のフットプリントに、対称 / 非対称変換に加え、整合ネットワークも集積できます。

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RFフィルタ

フィルタ設計

RFフィルタは、バンドパス・フィルタや、RFフロントエンドのローパス・フィルタまたはハイパス・フィルタなどの機能に使用されます。RFフィルタは、STの薄膜RF IPDプロセスにより、容易にフロントエンド・モジュールに統合することができます。このプロセスは、高品質のRF受動部品を1枚のガラス基板または高抵抗シリコン基板上に集積します。

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STのIPDテクノロジーは、168MHz以上の周波数範囲の、以下のようなRFアプリケーションすべてに対応します。

Sub-GHz製品 Ultra Wideband ZigBee™製品 Bluetooth™ LEネットワーク・コプロセッサ Wi-Fiロゴ WiMAXロゴ 4Gロゴ 5Gロゴ

ST RFフロントエンドの主なメリット:

  • ディスクリート・ソリューションに対する優れたプロセス管理
  • 競争力のあるコスト構造(GaAsやディスクリート・ソリューションより低コスト)
  • 小型フォーム・ファクタ:
    • ディスクリート・ソリューションより小さな領域
    • LTCCより薄い
  • 電力損失を低減
  • 包括的な設計キット
  • 効果的な設計サービス
  • 迅速なファンドリ・シャトル・サービス
STのIPD

STのIPDは、バランやフィルタなどのスタンドアロン製品として、さらにはファンドリ・サービスとして提供されています。CSP、マイクロバンピング、ワイヤ・ボンディングなどのさまざまな実装方法と互換性があり、メインのプリント配線板(PWB)や完全なRFモジュールに実装できます。

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