STのパワーMOSFETポートフォリオは、-100V～1700Vの広い耐圧範囲をもち、小さなゲート電荷量、低いオン抵抗のデバイスを、最先端のパッケージで提供しています。また、STの高電圧パワーMOSFET（MDmesh™）および低電圧パワーMOSFET（STripFET™）向けプロセス技術によって高い電力処理能力を実現し、高効率のソリューションとなっています。パワーMOSFETはSTPOWER™ファミリの製品です。
ニーズに応じて適切なパワーMOSFETを以下よりお選びください。
12V～30V低電圧MOSFET
最先端のパッケージ、低いゲート電荷とオン抵抗を特徴とするSTのSTripFET低電圧パワーMOSFETです。
> 30V～350V NチャネルMOSFET
小型かつハイパワーなパッケージを幅広く提供する、STの中電圧STripFET Nチャネル･パワーMOSFETポートフォリオです。
> 350V～700VスーパージャンクションMOSFET
標準および高速ボディ･ダイオード内蔵のスーパージャンクションMOSFETを特徴とする、STのMDmesh™ Nチャネル･スーパージャンクションMOSFETです。
> 700V～1700V高電圧および超高電圧MOSFET
電力処理能力の強化により高効率ソリューションを実現した、STのMDmesh™高耐圧および超高耐圧パワーMOSFETです。
PチャネルMOSFET
近年新たなトレンチ･ゲート･デバイスによって拡充された、きわめて小さなフォーム･ファクタ･パッケージで提供されるSTのSTripFET PチャネルMOSFETです。
STの幅広いMOSFETポートフォリオには次のような特徴があります。
- -100V～1700Vの耐圧範囲
- スイッチング効率を高める専用制御ピンを備えた4ピンTO-247、大電流容量のH2PAK、極めて革新的な表面実装型TO-LLリードレス、高さ1mmの表面実装型PowerFLATファミリ、ドレイン端子に大型の放熱パッドを採用することで優れた熱性能を実現した2 x 2～8 x 8mmの中電圧、高電圧、超高電圧パワーMOSFETなど、30種類を超えるパッケージ･オプション
- 最先端の厳しい効率要件に応えるために改良されたゲート電荷量およびオン抵抗
- 厳選された製品ライン向けの内蔵高速ボディ･ダイオード･オプション
- オートモーティブ･グレード対応パワーMOSFETの幅広いポートフォリオ
- アプリケーション指向の技術
STは、スイッチング･モード電源（SMPS）、照明、モータ制御、エネルギー生成とE-モビリティ、シャーシおよびセーフティ、車体･快適性向上など、産業用および自動車用アプリケーションにおけるあらゆる電圧範囲の設計に適したMOSFETを提供します。
STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで、高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率の、カスタマイズされたアプリケーションに適したソリューションを容易に見つけることができます。
ビデオ
Tutorial video: Learn how to read und understand power MOSFET dynamic parameters in datasheets.
Tutorial video: Learn how to read und understand power MOSFET basic parameters in datasheets.
Tutorial video: Learn how to read und understand power MOSFET absolute maximum ratings.
Automotive MOSFETs in tiny 5x6 mm dual-side cooling package
Power MOSFET Basics
MOSFET stands for Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. It's a voltage controlled device with 3 terminals:
- Gate (electrically insulated from the semiconductor)
- Drain
- Source
When a voltage applied between the Gate and the Source reaches a certain threshold (VGS(th) or threshold G-S voltage), the device is able to support current conduction between the Drain and the Source (ID or drain current).
When a voltage applied between the Gate and the Source is below VGS(th), the device will withstand a voltage up to BVDSS (or breakdown voltage).
MOSFETs can be used as a signal amplifier (linear operation) or as a switch in power applications.
MOSFET parameters
Like many other types of semiconductor power switches, the main parameters of a MOSFET, usually available in most datasheets, are:
- RDS(on) (on-state resistance): electrical resistance when the device is set in on state. The lower is RDS(on), the lower is the conduction loss due to power dissipation when the current is flowing.
- BVDSS (breakdown voltage): maximum drain-to-source voltage that the device is able to sustain when in off state.
- QG (total gate charge): amount of electric charge required to the gate driver to turn on/off the device itself. QG impacts directly the efficiency (the lower, the better).
The product of RDS(on) and QG is known as the MOSFET Figure of Merit (FOM).
Other important parameters are intrinsic capacitances that can affect the switching times and voltage spikes, and body drain diode when device is used as power diode, like in synchronous free-wheeling operation mode.
Learn more about how to read MOSFET datasheet parameters thanks to our series of videos dedicated to "Power MOSFET datasheet parameters".
Main types of power MOSFETs
MOSFETs can be of different types, including:
- Depletion Mode: Normally ON. Applying the VGS would turn it OFF.
- Enhancement Mode: Normally OFF. Applying the VGS would turn it ON.
- N-channel MOSFETs: positive voltages and currents.
- P-channel MOSFETs: negative voltages and currents.
- Low voltage MOSFETs: BVDSS from 0 V to 200 V.
- High voltage MOSFETs: BVDSS greather than 200 V.
N-channel enhancement-mode MOSFETs are the most popular type used in power switching circuits because of their low RDS(on) (on-state resistance) compared to P-channel MOSFETs.
Power MOSFET Applications
Power MOSFETs play an important role in all applications handling Power.
The main applications of high voltage MOSFETs include:
- Switch Mode Power Supplies (SMPS)
- Residential, commercial, architectural and street lighting
- DC-DC converters
- Motor control
- Automotive applications
ST's high voltage MOSFET portfolio offers a broad range of breakdown voltages up to 1700 V, with low gate charge and low on-resistance, combined with state-of-the-art packaging. ST's MDmesh™ high-voltage MOSFETs technology has enhanced power-handling capability, resulting in high-efficiency solutions.
The main applications of low voltage MOSFETs include:
- Switch, buck and synchronous rectification
- Uninterruptible Power Supplies (UPS)
- Small motor control
- Switch Mode Power Supplies (SMPS)
- Power-Over-Ethernet (PoE)
- Solar inverters
- Automotive applications
ST's low voltage MOSFET portfolio offers a broad range of breakdown voltages from -100 V to 120 V, with low gate charge and low on-resistance, combined with state-of-the art packaging.
