STのパワーMOSFETポートフォリオは、-100V ~ 1700Vの広範なブレークダウン電圧、小さなゲート電荷量、低オン抵抗のデバイスを、最先端のパッケージで提供しています。STの高電圧パワーMOSFET（MDmesh™）および低電圧パワーMOSFET（STripFET™）向けプロセス技術により、電力処理能力が確実に強化されています。その結果、高効率ソリューションに貢献することができます。
STの幅広いポートフォリオの主な特徴は以下のとおりです。
- -100V ~ 1700Vのブレークダウン電圧範囲
- スイッチング効率を高める専用制御ピンを備えた4ピンTO-247、大電流容量のH2PAK、高さ1mmの表面実装型PowerFLAT™ファミリ、ドレイン端子に大型の放熱パッドを採用することで優れた熱性能を実現した2x2mm ~ 8x8mmの低電圧、高電圧、超高電圧パワーMOSFETなど、30種類を超えるパッケージ･オプション
- 最先端の厳しい効率要件に応えるために改善されたゲート電荷量およびオン抵抗
- 厳選された製品ライン向けの内蔵高速ボディ･ダイオード･オプション
- オートモーティブ･グレード対応パワーMOSFETの幅広いポートフォリオ
- アプリケーション指向の技術
スイッチ･モード電源（SMPS）、照明、モータ制御、エネルギー生成とE-モビリティ、シャーシおよびセーフティ、車体･快適性向上など、産業用および自動車用アプリケーションでのあらゆる電圧範囲の設計に向けて最適のMOSFETを用意しています。
ビデオ
Automotive MOFETs in tiny 5x6 mm dual-side cooling package
ST has extended its offering of AEC-Q101 MOSFETs with the introduction of two 40 V devices in the advanced PowerFLAT
TM 5x6 dual-side cooling (DSC) package with wettable flanks. The
STLD200N4F6AG and
STLD125N4F6AG, with a maximum on-resistance of 1.5 mΩ and 3.0 mΩ respectively, ensure high efficiency and help simplify system thermal management. The 0.8 mm-high PowerFLAT 5x6 DSC retains the footprint and thermally efficient bottom-side design of the standard wettable flank package, while it exposes the top-side source electrode to further enhance heat dissipation. This allows a higher current rating that increases power density, enabling designers to build smaller ECUs without trading off functionality, performance, or reliability.
