STは、プレーナ･パンチスルー（PT）技術およびトレンチゲート･フィールドストップ（TFS）技術を用いた、300V～1700VのIGBT（絶縁ゲート･バイポーラ･トランジスタ）の包括的な製品ポートフォリオを提供しています。650V IGBT HB2シリーズは、STPOWERファミリの製品です。
STのIGBTは、スイッチング性能とオンステート動作のトレードオフが最適化されており、汎用インバータやモータ制御、生活家電、空調設備、無停電電源装置（UPS） / スイッチング電源（SMPS）、溶接機、IH、ソーラー･インバータ、トラクション･インバータ、オンボード･チャージャ、高速充電器といった産業用および車載用アプリケーションに適しています。
STのIGBTは、ベア･ダイまたはパッケージングされたディスクリート部品として提供されています。
STPOWER IGBTの主な特徴
- 最適化された導通損失とスイッチオフ損失のトレードオフ
- 最高接合温度：175℃（Tᴊ）
- 広範なスイッチング周波数
- アンチパラレル･ダイオード･オプションによる電力損失の改善および温度管理の最適化
STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率のカスタマイズされたアプリケーション開発に貢献します。
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STMicroelectronics presents ACEPACK SMIT: a surface-mount power module with top-side cooling, which ensures higher power density and improved thermal management for very efficient and more compact systems.
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1200 V IGBT S series
Optimized for use in low-frequency (up to 8 kHz), hard-switching topologies, ST’s S series of 1200 V IGBTs feature the industry’s lowest V CE(sat) among 1200 V IGBTs currently on the market. Based on ST’s third-generation of trench-gate field-stop technology, they increase the efficiency of power supplies, welders and industrial motor drive applications thanks to the optimal trade-off between conduction and switching performance combined with outstanding robustness and EMI characteristics. Available in 15 A, 25 A and 40 A current ratings, they feature a 175°C maximum operating junction temperature, a 10 µs min short-circuit withstand time and a wide safe operating area (SOA).
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