STD7N65M6

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N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ., 5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

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  • The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

    主な特徴

    • Reduced switching losses
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate input resistance
    • 100% avalanche tested
    • Zener-protected

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開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

評価ツール

    • 製品型番

      45W USB Type-C Power Delivery 3.0 adapter based on STCH03, SRK1001 and STUSB4761

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS11776
      N-channel 650 V, 0.91 Ω typ., 5 A, MDmesh™ M6 Power MOSFET in a DPAK package
      2.0
      634.84 KB
      PDF
      DS11776

      N-channel 650 V, 0.91 Ω typ., 5 A, MDmesh™ M6 Power MOSFET in a DPAK package

    • 概要 Version Size Action
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN5318
      Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies
      1.0
      1.09 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN5318

      Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 Version Size Action
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

    • 概要 Version Size Action
      AN5430
      The STUSB4761 PCB routing guidelines
      1.1
      396.92 KB
      PDF
      AN5430

      The STUSB4761 PCB routing guidelines

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      std7n65m6 Pspice Model 1.0
      10.17 KB
      ZIP

      std7n65m6 Pspice Model

関連資料

    • 概要 Version Size Action
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      600 to 700 V MDmesh™ M6 High-voltage, SJ MOSFETs to boost the efficiency 1.0
      722.87 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      600 to 700 V MDmesh™ M6 High-voltage, SJ MOSFETs to boost the efficiency

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STD7N65M6
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DPAK インダストリアル Ecopack2

STD7N65M6

Package:

DPAK

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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