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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • 6 µs of short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 10 A
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

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    • 製品型番

      STPOWER IGBT finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS10849
      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in D²PAK package
      6.0
      1.11 MB
      PDF
      DS10849

      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in D²PAK package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4694
      EMC design guides for motor control applications
      1.0
      2.13 MB
      PDF
      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
      1.1
      2.4 MB
      PDF
      AN4694

      EMC design guides for motor control applications

      AN4544

      IGBT datasheet tutorial

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STGB10M65DF2 PSpice model 1.0
      4.49 KB
      ZIP

      STGB10M65DF2 PSpice model

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package 1.1
      247.49 KB
      PDF
      ST IGBT FINDER app for Android and iOS 1.0
      316.78 KB
      PDF

      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package

      ST IGBT FINDER app for Android and iOS

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

品質 & 信頼性

製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGB10M65DF2
量産中
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss D2PAK Industrial Ecopack2

STGB10M65DF2

Package:

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

General Description

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

Package

D2PAK

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
パッケージ
梱包タイプ
製品ステータス
ECCN (US)
Country of Origin
概要
Budgetary Price (US$)*/Qty
STGB10M65DF2 Available at 1 distributors

販売代理店在庫STGB10M65DF2

代理店名
地域 Stock 最小発注 パートナー企業リンク
Farnell Element14 EUROPE 914 1 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-07-01

代理店名

Farnell Element14

Stock

914

Min.Order

1

地域

EUROPE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-07-01

D2PAK Tape And Reel
量産中
EAR99 CHINA Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss 1.05 / 1k

STGB10M65DF2

パッケージ

D2PAK

梱包タイプ

Tape And Reel

Budgetary Price (US$)*/Qty

1.05 / 1k

販売代理店在庫STGB10M65DF2

代理店名
地域 Stock 最小発注 パートナー企業リンク
Farnell Element14 EUROPE 914 1 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-07-01

代理店名

Farnell Element14

Stock

914

Min.Order

1

地域

EUROPE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-07-01

製品ステータス

量産中

Budgetary Price (US$)* / Qty

1.05 / 1k

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

概要

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。