STGSB200M65DF2AG

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Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package

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製品概要

概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation. Thanks to the DBC substrate, the ACEPACK SMIT surface mounting power package offers a low thermal resistance coupled with a electrical isolated top side thermal pad.

  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • 6 μs of minimum short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 200 A
    • Tight parameter distribution
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • Dice on direct bond copper (DBC) substrate
    • Isolation rating of 3400 Vrms/min
    • UL recognition: UL 1557 file E81734

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGSB200M65DF2AG

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Package:

Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package

Material Declaration**:

Marketing Status

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General Description

Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package

Package

ACEPACK SMIT

Grade

Automotive

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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梱包タイプ:
Tape and Reel
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-
Country of Origin:
PHILIPPINES
ECCN (US):
EAR99
ECCN (EU):
NEC

製品型番:

STGSB200M65DF2AG

Operating Temperature (°C)

最小:

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最大:

175

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