Product overview
概要
超高電圧のNチャネル･パワーMOSFETは、スーパー･ジャンクション･テクノロジーに関するSTマイクロエレクトロニクスの20年に及ぶ経験に基づき、MDmesh™ K6テクノロジーを使用して設計されています。優れた電力密度と高効率が求められるアプリケーション向けに、クラス最高レベルの単位面積当たりのオン抵抗とゲート電荷を提供することができます。
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All features
- 最高クラスのRDS(on) x 領域
- 最高クラスのFOM（性能指数）
- 超低ゲート電荷
- 100%アバランシェ試験済み
- ツェナー･ダイオードによる保護
推奨コンテンツ
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STP80N450K6
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Footprints
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すべてのリソース
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Details | ダウンロード |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.2 | 26 Sep 2022 | 26 Sep 2022 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP80N450K6 | Active 交換品交換品 | TO-220 | Industrial | Ecopack2 | 10 | 2024-06-04T00:00:00.000+02:00 | |
STP80N450K6
Package:
TO-220Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP80N450K6 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STP80N450K6 Active
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