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STのシリコン・カーバイドMOSFETのポートフォリオは、業界最高の動作時接合部温度定格である200℃を実現し、電力損失を大幅に低減することで、高効率化、小型化、軽量化を可能にします。 

温度依存性が極めて小さいため、高温においてクラス最高のシリコン技術より極めて低いオン抵抗(RDS(on))(単位面積あたり)と優れたスイッチング特性を示します。STの技術により、シリコン・カーバイドMOSFETの利点を最大限に活かしたシステム設計が可能です。

主な特徴 対応する利点
低いオン抵抗  システム効率の向上および冷却システム寸法の低減
200℃を超える温度において卓越したオン抵抗  高温における性能安定性の向上
より高いスイッチング周波数 より高効率のアプリケーション
冷却システムに対する要件の緩和 PCBフォーム・ファクタの縮小
より高いブレークダウン電圧(シリコンの10倍)  高電圧対応
より高温のアプリケーションへの対応(最高200℃) より高い汎用性
より低いスイッチング損失 より省エネルギー
受動素子数の削減 システムの小型化と軽量化
容易な駆動 STの第2世代SiC MOSFETは18 Vで容易に駆動可能
極めて高速かつ堅牢なボディ・ダイオード  外付けのフリーホイール・ダイオード不要
完全に自社製 品質と信頼性の追求  

STのポートフォリオには、トラクション・インバータ、オンボード充電器および高速充電器、DC-DCコンバータ、SMPS/ハイエンドPFC、補助電源、UPS/太陽光発電/溶接装置などの産業用および自動車用アプリケーション向けに、幅広い動作電圧の製品が含まれています。


New 650 V, 22 mΩ typ (at 150 °C) SiC power MOSFET

ST has extended its portfolio of SiC MOSFETs with the introduction of the 22 mΩ typ (at 150 °C), 650 V SCTW100N65G2AG which increases the electrical efficiency of EVs and hybrid vehicles. When used in the EV/HEV main inverter, it increases the efficiency by up to 3% compared with an equivalent IGBT solution, translating into longer battery life and a lighter power unit. ST’s SiC MOSFETs also feature the industry’s highest junction-temperature rating of 200°C and show a very small variation of the on-state resistance even at high temperatures. This leads to higher system efficiency, which reduces cooling requirements and PCB form factors simplifying thermal management.
The new 650 V SiC MOSFET is currently sampling to lead customers and will soon complete the qualification to AEC-Q101.

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