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パワー・トランジスタ Minimize menu

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電力効率化、小型化、軽量化、システムの低コスト化を実現する新材料であるワイド・バンドギャップ半導体(WBG)は、さらなるエネルギー効率を実現する上できわめて重要です。STは、STPOWERファミリに属するベア・ダイ、ディスクリート、モジュールに対応するSiC(シリコン・カーバイド)パワーMOSFETおよびGaN(窒化ガリウム)e-mode HEMT(高電子移動度トランジスタ)の幅広い製品ポートフォリオを提供しています。

  • SiCは、3電子ボルト(eV)のバンドギャップをもち、シリコンに比べてはるかに高い熱伝導率を特徴とします。SiCパワーMOSFETは、高耐圧 / 高電力アプリケーションに最適で、シリコンに比べて高い周波数で動作します。また、RDS(on)(オン抵抗)などのパラメータの温度による変動も少ないため、小さな設計マージンで高い性能を実現することができます。SiCパワーMOSFETは、トラクション・インバータ、オンボード・チャージャおよび高速充電器、DC-DCコンバータ、スイッチング電源(SMPS) / ハイエンド力率改善回路(PFC)、補助電源、無停電電源装置(UPS) / 太陽光発電システム用インバータ / 溶接機、産業用ドライブなど、 650V / 750V / 1200V / 1700Vの産業用および車載用アプリケーションに最適です。
  • シリコン基板上に窒化ガリウムを形成したGaN/Si(ガン・オン・シリコン)は、3.4eVのバンドギャップをもち、電子移動度においてもSiCを上回る性能を特徴とします。また、シリコンに比べて10倍のブレークダウン電圧と2倍の電子移動度をもちます。出力電荷とゲート電荷はいずれもシリコンの1/10であり、特にブリッジ・トポロジにおける高周波数動作に重要な逆リカバリ損失はほとんどありません。GaNは、幅広いテクノロジーに適しており、現代の共振トポロジにおいてきわめて高い電力効率を実現します。GaN HEMTは、その特性により、電気自動車だけでなく100Vおよび650Vの産業用、通信用、およびコンスーマ向けアプリケーションにも幅広く採用されることが想定されています。

SiCおよびGaNパワー・トランジスタは、さらなる電力効率や機器の小型化を実現し、より環境に優しく、より豊かな暮らしの実現に貢献します。


New 650 V, 22 mΩ typ (at 150 °C) SiC power MOSFET

ST has extended its portfolio of SiC MOSFETs with the introduction of the 22 mΩ typ (at 150 °C), 650 V SCTW100N65G2AG which increases the electrical efficiency of EVs and hybrid vehicles. When used in the EV/HEV main inverter, it increases the efficiency by up to 3% compared with an equivalent IGBT solution, translating into longer battery life and a lighter power unit. ST’s SiC MOSFETs also feature the industry’s highest junction-temperature rating of 200°C and show a very small variation of the on-state resistance even at high temperatures. This leads to higher system efficiency, which reduces cooling requirements and PCB form factors simplifying thermal management.
The new 650 V SiC MOSFET is currently sampling to lead customers and will soon complete the qualification to AEC-Q101.

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