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STのSTPOWER SiC(シリコン・カーバイド) パワーMOSFETは、革新的なワイド・バンドギャップ(WBG)半導体が持つ利点を活かし、次世代の設計に貢献します。2014年から量産されているSTのSiC パワーMOSFETは、最先端のテクノロジー・プラットフォームにより650V~1700V(今後さらに拡大予定)の幅広い動作電圧範囲を備え、きわめて低いオン抵抗(RDS(on))による優れたスイッチング性能を実現しています。STのSiC パワーMOSFETは、従来のシリコンに匹敵する技術水準により優れた品質を実現しています。そのため、搭載されたシステムにさまざまな利点を提供し、これまで以上に高効率かつ小型のシステムを設計することが可能です。 

STのSiC パワーMOSFETは、主に以下の特徴を持ちます。

  • 車載用(AG)認定デバイス
  • きわめて優れた温度特性(max.Tᴊ = 200°C)
  • きわめて低いスイッチング損失(温度による変動の最小化)により、高いスイッチング周波数で動作可能
  • 動作温度範囲全体にわたる低いオン抵抗
  • シンプルなゲート駆動
  • 実績のある、高速かつ堅牢なボディ・ダイオード

STのSTPOWER SiC パワーMOSFETは、車載および産業アプリケーション向けに設計された最先端のパッケージ(HiP247 / H2PAK-7 / TO-247ロング・リード / STPAK / HU3PAK)で提供されています。