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STのSiC(シリコン・カーバイド)パワーMOSFETのポートフォリオは、業界最高クラスの動作時接合部温度定格である200℃を実現し、総電力損失の大幅な低減による高効率化、小型化、軽量化を特徴としています。温度依存性が極めて小さいため、クラス最高のシリコン技術と比べて、高温において極めて低いオン抵抗(単位面積あたり)と優れたスイッチング特性を持ちます。

主な特徴

  • 業界最高クラスとなる200℃の動作時接合部温度定格(Tj max)による、システムの信頼性強化およびPCBフォーム・ファクタの縮小(温度管理の簡素化)
  • 200℃までの全温度範囲にわたる低いオン抵抗による冷却要件の緩和、およびシステム効率の改善
  • 極めて小さい温度依存性によるスイッチング損失の低減および小型設計の実現(小型受動部品が使用可能)
  • 低いオン抵抗(650Vデバイス: 20mΩ(typ)@ 25℃、1200Vデバイス: 80mΩ(typ)@ 25℃)によるシステム効率の向上(冷却要件の緩和)
  • 容易なゲート駆動
  • 超高速かつ堅牢な内蔵ボディ・ダイオード(外付けのフリーホイール・ダイオードが不要のため、システムの小型化が可能)

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