BCD
BCD（バイポーラ･CMOS･DMOS）は、パワー半導体のキー･テクノロジーです。STは、1980年代中頃、当時革新的であったこのテクノロジーに投資し、以来継続的に開発を進めてきました。
半導体製造プロセスの一つであるBCDは、高精度アナログ機能向けバイポーラ、デジタル機能向けCMOS（相補型金属酸化膜半導体）、およびパワー･高耐圧素子向けDMOS（二重拡散金属酸化膜半導体）の3種類の異なったテクノロジーを1チップ上に形成するプロセス技術です。
2021年5月、STは「複数のシリコン・テクノロジーを1チップに形成する技術」の歴史的業績が認められ、権威あるIEEEマイルストーンを受賞しました。
IEEEマイルストーンは、電子工学や情報・通信など、IEEEが活動する技術領域における功績を表彰するもので、独創的な製品･サービス、論文や特許など、人類の利益に貢献する革新的かつ卓越した技術の栄誉を称えます。
幅広いアプリケーションへの対応
20年以上にわたりプロセス開発とチップ製造で培ってきたノウハウを持つSTは、機能、性能、コストの最適なバランスを実現してさまざまなアプリケーション固有のニーズに対応する独自のBCDプロセス技術を提供しています。BCDプロセス技術は、以下2つのタイプに大別できます。
高耐圧BCD ： 低電圧制御回路および超高耐圧DMOS段（最大800V）を同一チップ上に高い信頼性で共存できるようにします。シリコン･オン･インシュレータ基板上にBCDを集積することにより、医療用電子機器、自動車の安全機能やオーディオなど、高付加価値アプリケーションをサポートします。
高密度BCD ： ますます複雑化し、多様化する各種機能を同一チップ上に集積し、あらゆる種類のアプリケーション環境で高品質と高信頼性を保証しようとするニーズに対応します。
BCDのイノベーション
「More Moore」と「More than Moore」の双方の領域において、半導体技術の専門性を持つSTは、最高のBCDソリューションを実現することができる卓越した能力を備えています。STのBCDは、革新的な手法で設計されたDMOSアーキテクチャの集積と、最先端ウェハ製造設備の優位性を活用することで、クラス最高の性能と最も先進的なプロセス・ノードを提供します。
さらに、STは、自動車分野、航空宇宙分野、産業分野の特定領域を含む、要求の厳しい市場に最適に対応できるよう、BCD技術をカスタマイズする能力も持っています。STは、対象アプリケーションの特質を開発の初期段階から考慮することにより、最適にカスタマイズされたソリューションを顧客に提供することができます。
STでは、テクノロジー、設計、およびアプリケーションどうしの強力なシナジーを活用し、顧客の設計プロセスを支援する各種開発ツールも豊富に提供しています。これらのツールを使用することで、高性能で堅牢性の高い製品を迅速に開発できるようになります。
STは、20年以上にわたる経験に基づいた独自の技術的知見により、STは、顧客に最高のBCD技術を提供するため、優れた技術サポートを提供しています。