STGP8M120DF3

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Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • 10 µs of minimum short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 8 A
    • Tight parameter distribution
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

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      Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package
      2.0
      337.8 KB
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      DS11847

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGP8M120DF3
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TO-220AB Industrial Ecopack2

STGP8M120DF3

Package:

TO-220AB

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Grade

Industrial

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Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください