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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特徴
- 6 µs of short-circuit withstand time
- VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 4 A
- Tight parameter distribution
- Safer paralleling
- Low thermal resistance
- Soft and very fast recovery antiparallel diode
注目ビデオ
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製品スペック (1)
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| 06 Dec 2018 |
06 Dec 2018
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アプリケーションノート (2)
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| 03 Apr 2020 |
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| 13 Sep 2018 |
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フライヤ (2)
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| 13 Nov 2020 |
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| 04 May 2020 |
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パンフレット (1)
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| 23 Mar 2020 |
23 Mar 2020
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGD4M65DF2
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Symbols
Footprints
3D models
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGD4M65DF2 |
量産中
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Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss | DPAK | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGD4M65DF2 | 4 distributors | Free Sample Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tape And Reel | DPAK | -55 | 175 | CHINA | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss | |||
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
