STGF20M65DF2

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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss

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製品概要

概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

  • 特徴

    • High short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGF20M65DF2

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製品型番 マーケティング・ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGF20M65DF2
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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss TO-220FP インダストリアル Ecopack2

STGF20M65DF2

Package:

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss

Material Declaration**:

Marketing Status

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General Description

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss

Package

TO-220FP

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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