Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • High short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode

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CHINA

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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss

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    • 製品型番

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      DS11363
      Trench gate field-stop, M series, 650 V, 20 A, low-loss IGBT
      4.0
      527 KB
      PDF
      DS11363

      Trench gate field-stop, M series, 650 V, 20 A, low-loss IGBT

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      IGBT datasheet tutorial
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HWモデル、CADライブラリ & SVD

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      STGF20M65DF2 PSpice model

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製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGF20M65DF2
Active
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss TO-220FP インダストリアル Ecopack2

STGF20M65DF2

Package:

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

General Description

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss

Package

TO-220FP

Grade

Industrial

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