STGWA40M120DF3

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Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series of IGBTs, which represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • 10 μs of short-circuit withstand time
    • VCE(sat)= 1.85 V (typ.) @ IC= 40 A
    • Tight parameters distribution
    • Safer paralleling
    • Low thermal resistance
    • Soft and fast recovery antiparallel diode

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      DS10301
      Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
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      DS10301

      Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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      AN4929
      H series 1200 V IGBTs on 3-phase full-bridge DC-DC power converter welding machine
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      IGBT datasheet tutorial
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HWモデル、CADライブラリ & SVD

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      STGWA40M120DF3 PSpice model 1.0
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      PDF
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      1.9 MB
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      Trench gate field-stop IGBT 1200V M series

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGWA40M120DF3
量産中
TO-247 long leads Industrial Ecopack2

STGWA40M120DF3

Package:

TO-247 long leads

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Industrial

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(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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