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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series of IGBTs, which represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • 10 μs of short-circuit withstand time
    • VCE(sat)= 1.85 V (typ.) @ IC= 40 A
    • Tight parameters distribution
    • Safer paralleling
    • Low thermal resistance
    • Soft and fast recovery antiparallel diode

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開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS10301
      Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
      3.0
      1.01 MB
      PDF
      DS10301

      Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STGWA40M120DF3 PSpice model 1.0
      9.2 KB
      ZIP

      STGWA40M120DF3 PSpice model

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      Trench gate field-stop IGBT 1200V M series 1.0
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      Trench gate field-stop IGBT 1200V M series

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGWA40M120DF3
Active
TO-247 long leads インダストリアル Ecopack2

STGWA40M120DF3

Package:

TO-247 long leads

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TO-247 long leads

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Industrial

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