STP60N043DM9

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N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-220 package

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製品概要

  • 特徴

    • Fast-recovery body diode
    • Worldwide best RDS(on) per area among silicon-based fast recovery devices
    • Low gate charge, input capacitance and resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness

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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STP60N043DM9

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STP60N043DM9
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TO-220 インダストリアル Ecopack2

STP60N043DM9

Package:

TO-220

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

TO-220

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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