Famiglia di MOSFET di potenza della STMicroelectronics utilizza una nuova tecnologia per aumentare la frequenza e ridurre le perdite negli alimentatori DC-DC

MOSFET in package DPAK con una "figura di merito" molto bassa garantiscono la riduzione delle perdite di commutazione e conduzione: risparmiati fino a 3W in un tipico modulo di regolazione della tensione Geneva / 20 Feb 2008

Oltre all'efficienza elevata, i nuovi MOSFET permettono di realizzare circuiti che funzionano a frequenze di commutazione superiore al normale, con la possibilità quindi di ridurre le dimensioni dei componenti passivi del circuito. Un aumento della frequenza di commutazione del 10%, ad esempio, può permettere di ridurre del 10% i componenti passivi necessari per il filtro di uscita.

I dispositivi STD60N3LH5 e STD85N3LH5 sono i primi di una nuova serie di componenti STripFET V che offrono prestazioni migliori e una maggiore efficienza grazie alla bassa resistenza “ON”  e a una minore carica complessiva di gate. Entrambi i componenti sono specificati a 30V (BVDSS). L’STD60N3LH5, con una carica di gate (Qg) di soli 8,8 nC (nanocoulomb) e una Rds(on) di 7,2 milliohm a 10V è la scelta ideale per un FET di controllo per un convertitore DC-DC step down non isolato. L’STD85N3LH5, con una Qg di 14 nC, è la scelta ideale per un FET sincrono. Entrambi i componenti sono prodotti nei package DPAK e IPAK e tra non molto saranno disponibili anche in diverse versioni di package, tra cui SO-8, PowerFLAT 3,3x3,3, PowerFLAT 6x5 e PolarPAK®. La nuova serie di dispositivi STripFET V è ideale per notebook, server, applicazioni di rete e telecomunicazioni.

La tecnologia STripFET della ST utilizza una altissima “densità equivalente di cella” e geometrie ridotte della cella in modo da garantire valori molto ridotti di resistenza “ON” e perdite bassissime, su un’area di silicio più piccola. La versione STripFET V è la generazione più recente di questa tecnologia e ha permesso di raggiungere, rispetto alla generazione precedente, un miglioramento del 35% circa nella resistenza del silicio perarea attiva, un indicatore molto importante, oltre a una riduzione del 20% circa nella carica totale di gate per area attiva.

Entrambi i dispositivi sono già in produzione. Il prezzo unitario dell’STD60N3LH5 è di $0,65 per l'acquisto di lotti di 2500 pezzi; il prezzo unitario dell’STD85N3LH5 è di $0,95 per l'acquisto di lotti di 2500 pezzi.

Per ulteriori informazioni si consiglia di visitare il sito www.st.com/pmos

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STripFET™ è un marchio registrato della STMicroelectronics. PolarPAK è un marchio registrato di Vishay Siliconix.

Alcune informazioni sulla STMicroelectronics
La STMicroelectronics è leader a livello globale dallo sviluppo alla consegna, nelle soluzioni a semiconduttore per tutta la gamma di applicazioni microelettroniche. Grazie ad un'ineguagliata combinazione di esperienza nel silicio e nei sistemi, grandi capacità manifatturiere, portafoglio di proprietà intellettuale e partner strategici, l'azienda è all'avanguardia nella tecnologia del System-on-Chip (sistema completo su singolo chip) e i suoi prodotti hanno un ruolo essenziale nel rendere possibile l'attuale convergenza di applicazioni e mercati. Le azioni della Società sono quotate al New York Stock Exchange, a Euronext Paris e alla Borsa Italiana. Nel 2007 i ricavi netti della Società sono stati pari a 10 miliardi di dollari. Per ulteriori informazioni sulla STMicroelectronics consultare il sito www.st.com.
Ultimo aggiornamento gennaio 2008