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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
主な特徴
- High short-circuit withstand time
- VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A
- Tight parameters distribution
- Safer paralleling
- Low thermal resistance
- Soft and very fast recovery antiparallel diode
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB20M65DF2 | 量産中 | Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss | D2PAK | インダストリアル | Ecopack2 | |
STGB20M65DF2
Package:
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low lossMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | ECCN (US) | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | |
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| STGB20M65DF2 | 1 distributors | サンプル入手 | D2PAK | Tape And Reel | 量産中 | EAR99 | CHINA | Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss | 1.2 / 1k |
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
