L6491

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High voltage high and low-side 4 A gate driver

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製品概要

概要

The L6491 is a high voltage device manufactured with the BCD6 “OFF-LINE” technology. It is a single-chip half-bridge gate driver for N-channel power MOSFET or IGBT.

The high-side (floating) section is designed to stand a voltage rail up to 600 V. The logic inputs are CMOS/TTL compatible down to 3.3 V for easy interfacing microcontroller/DSP.

An integrated comparator is available for fast protection against over-current, over-temperature, etc.

  • 特徴

    • High voltage rail up to 600 V
    • dV/dt immunity ± 50 V/ns in full temperature range
    • Driver current capability: 4 A source/sink
    • Switching times 15 ns rise/fall with 1 nF load
    • 3.3 V, 5 V TTL/CMOS inputs with hysteresis
    • Integrated bootstrap diode
    • Comparator for fault protections
    • Smart shutdown function
    • Adjustable deadtime
    • Interlocking function
    • Compact and simplified layout
    • Bill of material reduction
    • Effective fault protection
    • Flexible, easy and fast design

回路ダイアグラム

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STMicroelectronics - L6491

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L6491D
量産中
SO-14 インダストリアル Ecopack2
L6491DTR
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SO-14 インダストリアル Ecopack2

L6491D

Package:

SO-14

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SO-14

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

L6491DTR

Package:

SO-14

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SO-14

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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L6491DTR
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