シングル・スイッチ・フォワード・コンバータは、100~300Wの電力範囲で大出力電流によりガルバニック絶縁が必要となる場合、絶縁型、オフライン、ステップダウン・コンバータのシングル・スイッチ・フライバック・トポロジに代わる有効な代替デバイスです。フライバック・コンバータとは異なり、フォワード・コンバータでは電力が即座にトランスに送られ、トランスでの蓄電は行いません。そのため、トランスは磁化インダクタンスがより大きく、空隙が存在しないため、トランスをより有効に利用できます。さらに、トランスの2次出力がLCフィルタリングされ、出力電圧リップルを低減するとともに、アクティブ・トランジスタにおけるピーク電流(つまりピーク・ストレス)が低減されます。
フリップ側では、フライバック・トポロジと比べて、トランスを数サイクル後にリセットして飽和を避ける必要があります。この場合、より高い電圧定格の1次パワーMOSFET、追加の出力インダクタ、およびフリーホイール・ダイオードが必要です。
STは、多種多様な1次側PWM/同期整流コントローラ、パワーMOSFETとダイオードに加え、各種のハードウェアとソフトウェアの評価および開発ツール(リファレンス設計を含む)の提供により、高効率かつ最適サイズのフォワード・コンバータの設計をサポートしています。

開発ツール・ハードウェア
eDesignSuite
Diodes and Rectifiers
品名 | 概要 |
---|---|
FERD20U60DJFD | 60 V, 20 A PowerFLAT Ultra-Low Vf Field-Effect Rectifier Diode (FERD) |
FERD40H100S | 100 V, 40 A Field-Effect Rectifier Diode (FERD) |
STTH2002C | 200 V, 20 A dual Ultrafast Diode |
STTH3002C | 200 V, 30 A dual Ultrafast Diode |
STTH6003 | 300V , 60 A dual Ultrafast Diode |
Power Transistors
品名 | 概要 |
---|---|
STB5N80K5 | N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package |
STF140N6F7 | N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220FP package |
STF24N60M2 | N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package |
STH140N8F7-2 | N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package |
STP40N60M2 | N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |